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ASDM3020S/SOP8 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双N沟道

ASDM3020S/SOP8的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）11.8A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻11.5mΩ @ 11A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W

类型双N沟道

ASDM3020S/SOP8

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peosi电子有限公司	深圳市福田区华强北华强广场	0755-02001000 15830690676	康先生	询价
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ASDM3020S/SOP8及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
ASDM3020S/SOP8	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双N沟道	Ascend(安森德)		883.10 Kbytes	共7页		无

ASDM3020S/SOP8的全球分销商及价格

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立创商城	ASDM3020S/SOP8	Ascend(安森德)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双N沟道	1+:￥1.0192 10+:￥0.7493 30+:￥0.6998 100+:￥0.6502 500+:￥0.6281 1000+:￥0.6173

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