ASDM2301ZA/SOT23
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道
ASDM2301ZA/SOT23的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻85mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）1W
类型P沟道
ASDM2301ZA/SOT23
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| ASDM2301ZA/SOT23 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 | Ascend(安森德) |  | 879.61 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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立创商城 | ASDM2301ZA/SOT23 | Ascend(安森德) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 | 20+:￥0.175523
200+:￥0.129042
600+:￥0.120504
2000+:￥0.111967
10000+:￥0.108173
20000+:￥0.106298
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