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ASDM2305ZA/SOT23 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W(Tc) 类型:P沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.4A(Tc)

栅源极阈值电压800mV @ 250uA

漏源导通电阻40mΩ @ 4.1A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.7W(Tc)

类型P沟道

供应商ASDM2305ZA/SOT23
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ASDM2305ZA/SOT23连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W(Tc) 类型:P沟道Ascend(安森德)Ascend(安森德)的LOGO811.43 Kbytes共9页ASDM2305ZA/SOT23的PDF下载地址
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ASDM2305ZA/SOT23Ascend(安森德)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W(Tc) 类型:P沟道10+:¥0.245355
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