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ASDM2305ZA/SOT23 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：P沟道

ASDM2305ZA/SOT23的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）5.4A(Tc)

栅源极阈值电压800mV @ 250uA

漏源导通电阻40mΩ @ 4.1A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.7W(Tc)

类型P沟道

ASDM2305ZA/SOT23

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ASDM2305ZA/SOT23	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：P沟道	Ascend(安森德)		811.43 Kbytes	共9页		无

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立创商城	ASDM2305ZA/SOT23	Ascend(安森德)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：P沟道	10+:￥0.245355 100+:￥0.180381 300+:￥0.168447 1000+:￥0.156513 5000+:￥0.151209 10000+:￥0.148588

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