ASDM2305ZA/SOT23
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：P沟道
ASDM2305ZA/SOT23的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5.4A(Tc)
栅源极阈值电压800mV @ 250uA
漏源导通电阻40mΩ @ 4.1A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.7W(Tc)
类型P沟道
ASDM2305ZA/SOT23
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| ASDM2305ZA/SOT23 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：P沟道 | Ascend(安森德) |  | 811.43 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
ASDM2305ZA/SOT23的全球分销商及价格
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立创商城 | ASDM2305ZA/SOT23 | Ascend(安森德) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：P沟道 | 10+:￥0.245355
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300+:￥0.168447
1000+:￥0.156513
5000+:￥0.151209
10000+:￥0.148588
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