AS3434E
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
AS3434E的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻42mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)-
类型N沟道
AS3434E
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AS3434E | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 | AnBon(台湾安邦) |  | 1.92 Mbytes | 共3页 |  | 无 |
AS3434E的全球分销商及价格
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 立创商城 | AS3434E | AnBon(台湾安邦) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 | 5+:¥0.282845 50+:¥0.213872 150+:¥0.201204 500+:¥0.188536 2500+:¥0.182905 5000+:¥0.180124
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