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商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.6A
栅源极阈值电压1.4V @ 250uA
漏源导通电阻115mΩ @ 2.6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.1W
类型P沟道