AS3415E
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:43mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道
AS3415E的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻43mΩ @ 4A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1W
类型P沟道
AS3415E
AS3415E的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | AS3415E | FMS(台湾美丽微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:43mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道 | 10+:¥0.373032 100+:¥0.276471 300+:¥0.258735 1000+:¥0.240999 5000+:¥0.233117 10000+:¥0.229222
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 立创商城 | AS3415E | AnBon(台湾安邦) | MOS(场效应管) | 10+:¥0.245549 100+:¥0.180075 300+:¥0.168049 1000+:¥0.156024 5000+:¥0.150679 10000+:¥0.148038
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