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APTM20DHM20TG /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APTM20DHM20TG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 模块

系列:-

包装:散装

FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):89A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 44.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):112nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6850pF @ 25V

功率 - 最大值:357W

安装类型:底座安装

封装/外壳:SP4

供应商器件封装:SP4

供应商APTM20DHM20TG
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