标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 模块

系列：-

包装：散装

FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：175A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 87.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：224nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：13700pF @ 25V

功率 - 最大值：694W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP6

供应商器件封装：SP6