标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 模块

系列：-

包装：散装

FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：碳化硅 （SiC）

漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：36A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：270 毫欧 @ 18A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：308nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：8700pF @ 25V

功率 - 最大值：694W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP4

供应商器件封装：SP4