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APTGT100H60TG /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTGT100H60TG的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Full Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

在25 C的连续集电极电流:150 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:340 W

封装 / 箱体:SP4

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

单位重量:110 g

供应商APTGT100H60TG
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100+:￥493.72
250+:￥493.72
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