数据列表:APTGT100A120D1G Power Products Catalog
标准包装:1
类别:分立半导体产品
家庭:IGBT - 模块
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):150A
功率 - 最大值:520W
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?Vce 时的输入电容(Cies):7nF @ 25V
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装
封装/外壳:D1
供应商器件封装:D1