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APTGT100DU120TG /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTGT100DU120TG的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.7 V

在25 C的连续集电极电流:140 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:480 W

封装 / 箱体:SP4

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

单位重量:110 g

供应商APTGT100DU120TG
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APTGT100DU120TGDual common source Fast Trench Field Stop IGBT Power Module MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO257.94 Kbytes共5页APTGT100DU120TG的PDF下载地址APTGT50DU120TG,APTGT75DU120TG,APTGT75TDU120PG,APTGT50DU170TG,APTGT50TDU60PG,APTGT50TDU170PG,APTGT75TDU60PG,APTGT100DU60TG,APTGT50DDA120T3G,APTGT50DSK120T3G
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