制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

技术:-

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Quad

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.05 V

在25 C的连续集电极电流:50 A

栅极—射极漏泄电流:150 nA

Pd-功率耗散:165 W

封装 / 箱体:SP2

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 125 C

封装:Bulk

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

单位重量:80 g