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APTGL475U120DAG /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTGL475U120DAG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.8 V

在25 C的连续集电极电流:610 A

Pd-功率耗散:2.307 kW

封装 / 箱体:SP6

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

单位重量:110 g

供应商APTGL475U120DAG
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APTGL475U120DAGSingle switch with Series diode Trench Field Stop IGBT4 MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO192.62 Kbytes共5页APTGL475U120DAG的PDF下载地址
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APTGL475U120DAGMICRO-SEMI1+:¥1214.35
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50+:¥1113.8499
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APTGL475U120DAGMicrosemi CorporationPOWER MODULE - IGBT - Bulk50 : $116.8587
99 : $114.6081
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APTGL475U120DAGMicrosemi CorporationPOWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6100 : $149.06889
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APTGL475U120DAGAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 模块 - 分立半导体产品1+:¥1214.35
10+:¥1155.73
50+:¥1113.8499
100+:¥1088.73
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APTGL475U120DAGMICRO-SEMI1+:¥1214.35
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