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APTGL90DA120T1G /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTGL90DA120T1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.85 V

在25 C的连续集电极电流:110 A

栅极—射极漏泄电流:600 nA

Pd-功率耗散:385 W

封装 / 箱体:SP1-12

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

单位重量:80 g

供应商APTGL90DA120T1G
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APTGL90DA120T1GMICRO-SEMI19+:¥355.451+:¥230.42
2+:¥230.42
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APTGL90DA120T1GMicrosemi CorporationPOWER MODULE - IGBT - Bulk50 : $29.7182
99 : $29.3751
499 : $27.9912
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APTGL90DA120T1GMicrosemi CorporationMOD IGBT 1200V 110A SP119 : $48.66789
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APTGL90DA120T1GAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 模块 - 分立半导体产品19+:¥355.45
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APTGL90DA120T1GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 110A 385W SP1$41.26000
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Mouser 贸泽电子
APTGL90DA120T1GMICRO-SEMI19+:¥355.451+:¥230.42
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APTGL90DA120T1GMicrosemi CorporationPower Module - IGBT SP1
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