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APTGFQ25H120T2G /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTGFQ25H120T2G的规格信息
APTGFQ25H120T2G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Quad

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:2.1 V

在25 C的连续集电极电流:40 A

栅极—射极漏泄电流:150 nA

Pd-功率耗散:227 W

封装 / 箱体:SP2

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:50

子类别:IGBTs

单位重量:80 g

供应商APTGFQ25H120T2G
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深圳市芯幂科技有限公司APTGFQ25H120T2G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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APTGFQ25H120T2GMicrosemiIGBT 模块 Power Module - IGBT50:¥493.0868
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