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APTGF90DA60CT1G / Trans IGBT Module N-CH 600V 110A 12-Pin Case SP1
APTGF90DA60CT1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装:12Case SP1

配置:Single

引脚数:12

最大集电极发射极电压:600 V

最大连续集电极电流:110 A

最大栅极发射极电压:±20 V

安装:Through Hole

标准包装:Bulk

输入电容(Cies ) @ Vce时:4.3nF @ 25V

电流 - 集电极( Ic)(最大):110A

IGBT类型:NPT

安装类型:Chassis Mount

电流 - 集电极截止(最大):250µA

Vce(开) (最大值) Vge,Ic时:2.5V @ 15V, 100A

电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V

供应商设备封装:SP1

功率 - 最大:416W

封装/外壳:SP1

输入:Standard

NTC热敏电阻:Yes

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

供应商APTGF90DA60CT1G
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APTGF90DA60CT1GBoost chopper NPT IGBT SiC Chopper diode MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO218.78 Kbytes共5页APTGF90DA60CT1G的PDF下载地址
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