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APT75GN120JDQ3 /IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
APT75GN120JDQ3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:SOT-227-4

安装风格:SMD/SMT

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.7 V

栅极/发射极最大电压:30 V

在25 C的连续集电极电流:124 A

Pd-功率耗散:379 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:124 A

高度:9.6 mm

长度:38.2 mm

工作温度范围:- 55 C to + 150 C

宽度:25.4 mm

商标:Microchip / Microsemi

集电极连续电流:124 A

栅极—射极漏泄电流:600 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

单位重量:30 g

供应商APT75GN120JDQ3
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集好芯城APT75GN120JDQ3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司APT75GN120JDQ3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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苏州芯华胜半导体科技有限公司APT75GN120JDQ3江苏省苏州市虎丘区高新浒关工业园汇融广场20楼4006515758
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APT75GN120JDQ3MICRO-SEMI1+:¥242.11
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APT75GN120JDQ3Microsemi CorporationIGBT 1200V 124A 379W SOT227500 : $22.8735
250 : $24.03376
100 : $26.1885
50 : $28.1776
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APT75GN120JDQ3American Microsemiconductor, Inc.IGBT - 模块 - 分立半导体产品1+:¥242.11
10+:¥223.9501
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APT75GN120JDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP$26.78000
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APT75GN120JDQ3GMicrosemi CorporationIGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOPDiscontinued at Digi-Key
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APT75GN120JDQ3GAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 模块 - 分立半导体产品价格未公开
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Mouser 贸泽电子
APT75GN120JDQ3MicrosemiIGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi1:¥249.6509
5:¥238.43
10:¥230.9833
25:¥212.2366
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