Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：65A

Drain to Source Voltage (Vdss)：200V

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：60nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：3080pF @ 25V

Mounting Type：Through Hole

Package / Case：TO-247-3

Power - Max：329W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：36 mOhm @ 32.5A, 10V

Supplier Device Package：TO-247 [B]

Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 1mA

包装：3TO-247

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：200 V

最大连续漏极电流：65 A

RDS -于：36@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：9 ns

典型上升时间：37 ns

典型关闭延迟时间：16 ns

典型下降时间：30 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

标准包装：Rail / Tube

最大门源电压：±30

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

标准包装名称：TO-247

最低工作温度：-55

渠道类型：N

最大漏源电阻：36@10V

最大漏源电压：200

每个芯片的元件数：1

供应商封装形式：TO-247

最大功率耗散：329000

最大连续漏极电流：65

引脚数：3

铅形状：Through Hole