Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：74A

Drain to Source Voltage (Vdss)：200V

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：60nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：3660pF @ 25V

Mounting Type：Surface Mount

Package / Case：TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Power - Max：403W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：34 mOhm @ 37A, 10V

Supplier Device Package：D3 [S]

Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 1mA

包装：3D3PAK

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：200 V

最大连续漏极电流：74 A

RDS -于：34@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：10 ns

典型上升时间：27 ns

典型关闭延迟时间：25 ns

典型下降时间：4 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Rail / Tube