Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：100A

Drain to Source Voltage (Vdss)：200V

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：110nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：6850pF @ 25V

Mounting Type：Through Hole

Package / Case：TO-247-3 Variant

Power - Max：568W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：20 mOhm @ 50A, 10V

Supplier Device Package：T-MAX™ [B2]

Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 2.5mA

包装：3T-MAX

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：200 V

最大连续漏极电流：100 A

RDS -于：20@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：13 ns

典型上升时间：40 ns

典型关闭延迟时间：26 ns

典型下降时间：2 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

标准包装：Rail / Tube

最大门源电压：±30

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

标准包装名称：T-MAX

最低工作温度：-55

渠道类型：N

最大漏源电阻：20@10V

最大漏源电压：200

每个芯片的元件数：1

供应商封装形式：T-MAX

最大功率耗散：568000

最大连续漏极电流：100

引脚数：3