AP4435的供应商，AP4435规格参数，AP4435的PDF资料

AP4435 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 11A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：P沟道

AP4435的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）10.5A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻14mΩ @ 11A,20V

最大功率耗散（Ta=25°C）3W

类型P沟道

AP4435

AP4435的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	AP4435GH	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	AP4435	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	AP4435GH	深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房	0755-82542579 19924492152	董先生	询价
深圳市琛凡科技有限公司	AP4435GYT-HF	深圳市福田区华强电子世界一店2号楼四层24C156	13922854643，13302437441	马小姐	询价
深圳市源美佳成电子有限公司	AP4435GH	新华强Q2C035	0755-83204865 13715037703	王小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	AP4435	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦510	0755-82717977-603 13332931905	谢先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	AP4435GH-HF	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	AP4435	华强广场C座18J	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	AP4435C	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	AP4435	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市兴中芯科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A65	13113670037 13113670037	唐先生	询价
深圳亿恒升电子有限公司	AP4435EC	都会100A座24A	0755-29992989，0755-23945396 18938644687，15013565437	苏先生，李小姐	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	AP4435A	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
集好芯城	AP4435	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市百域芯科技有限公司	AP4435GH	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市骏凯诚科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室	0755-82731802 13652405995	朱小姐	询价
深圳市大源实业科技有限公司	AP4435GH-HF	深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座707	0755-84862070 15302619915，13762584085	李小姐	询价
深圳市博浩通科技有限公司	AP4435	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价

AP4435及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
AP4435	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 11A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：P沟道	ALLPOWER(铨力)	2.78 Mbytes	共8页	无
AP4435D	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	69.93 Kbytes	共4页	MSAEX8P50A,AP2603GY,AP2315GEN,AP4511GD,AP4578GD,AP4959GM,AP9620M,WTC2303,AP2303GN,AP4407GM
AP4435GH-HF	Simple Drive Requirement, Lower On-resistance	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	106.2 Kbytes	共4页	无
AP4435GH-HF	Fast Switching Characteristic	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	109.0 Kbytes	共5页	无
AP4435GH-HF_14	Simple Drive Requirement	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	106.2 Kbytes	共4页	无
AP4435GH-HF_16	Fast Switching Characteristic	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	109.0 Kbytes	共5页	无
AP4435GJ	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	971.1 Kbytes	共8页	无
AP4435GJ-HF	Simple Drive Requirement, Lower On-resistance	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	106.19 Kbytes	共4页	无
AP4435GJ-HF	Fast Switching Characteristic	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	109.0 Kbytes	共5页	无
AP4435GJ-HF_14	Simple Drive Requirement	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	106.2 Kbytes	共4页	无
AP4435GM	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	202.58 Kbytes	共5页	ZXMP62M832,G2307,G6402,GI9563,GM2301,GP4953,GSC4407,GSC6679,GSS4569,GT2625
AP4435GM	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1002.67 Kbytes	共9页	无
AP4435GM-HF	Simple Drive Requirement, Low On-resistance	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	208.18 Kbytes	共5页	无
AP4435GM-HF	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]	538.97 Kbytes	共4页	无
AP4435GM-HF_14	Simple Drive Requirement	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	208.18 Kbytes	共5页	无
AP4435GM-HF_16	Fast Switching Characteristic	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	103.34 Kbytes	共5页	无
AP4435GYT-HF	Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	101.03 Kbytes	共4页	无
AP4435GYT-HF_14	Simple Drive Requirement	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	101.03 Kbytes	共4页	无
AP4435GYT-HF_16	Simple Drive Requirement	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	65.32 Kbytes	共5页	无
AP4435M	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	85.04 Kbytes	共6页	BSS110,ZVP3306F,ZXM62P02E6,ZXMD63P02X,BSS84,NDH8321C,NDS9407,NDS9958,CEM9425

AP4435的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Quest Components	AP4435GM	Advanced Power Components	30 V, 0.02 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	13 : $1.05 3 : $1.68 1 : $2.1
立创商城	AP4435	ALLPOWER(铨力)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 11A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：P沟道	5+:￥0.611688 50+:￥0.441756 150+:￥0.410544 500+:￥0.379332 2500+:￥0.36546 5000+:￥0.358606
立创商城	AP4435GJ	VBsemi(台湾微碧)	MOS(场效应管)	1+:￥1.7577 10+:￥1.2988 30+:￥1.2145 100+:￥1.01727 500+:￥0.98352 1000+:￥0.96687
立创商城	AP4435GM	APEC(富鼎)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道	1+:￥1.1496 10+:￥0.8846 30+:￥0.8359 100+:￥0.7872 500+:￥0.7656 1000+:￥0.7549
立创商城	AP4435GM	VBsemi(台湾微碧)	MOS(场效应管)	1+:￥1.2169 10+:￥0.8992 30+:￥0.8408 100+:￥0.7825 500+:￥0.7566 1000+:￥0.7437

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