FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Ta），50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：114nC @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4550pF @ 10V

功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），83W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.6 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）

封装/外壳：8-PowerWDFN

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：10V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs