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AON7400AL_101 /
AON7400AL_101的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1380pF @ 15V

功率耗散(最大值):3.1W(Ta),25W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 20A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-DFN(3x3)

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商AON7400AL_101
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