系列：AON

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：11A（Ta），29A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：24nC @ 15V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1400pF @ 15V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），25W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：18 毫欧 @ 8A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线

封装形式Package：DFN

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：29A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs