FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：24nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1180pF @ 25V
功率耗散（最大值）：178W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.56 欧姆 @ 3.5A，10V
工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-251A
封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs