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AOI4144_002 /
AOI4144_002的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),55A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):28nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1430pF @ 15V

功率耗散(最大值):2.3W(Ta),50W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-251A

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商AOI4144_002
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