FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.5A（Ta），43A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：42nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2200pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：50V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），100W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-251A

封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs