系列:AOI
FET类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时):26A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):54nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):3600pF @ 30V
Vgs(最大值):±20V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),60W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):40 毫欧 @ 20A,10V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3短截引线,IPak
封装形式Package:TO-251A
极性Polarity:P-CH
漏源极击穿电压VDSS:60V
连续漏极电流ID:26A
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs