FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：22A (Tc), 85A (Tc)

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.3 毫欧 @ 20A, 10V, 0.83 毫欧 @ 30A, 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V

功率 - 最大值：24W, 75W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-DFN（5x6）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs