FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：16.5 毫欧 @ 12A, 10V, 22.5 毫欧 @ 9.7A, 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10nC @ 4.5V, 15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：760pF @ 15V

功率 - 最大值：15.6W, 31W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

供应商器件封装：TO-252-4L

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs