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AOD609 /Alpha & Omega Semiconductor Inc/分立半导体产品
AOD609的规格信息
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标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 和 P 沟道,共漏

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 12A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 20V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD

供应商器件封装:TO-252-4L

其它名称:785-1607-2AOD609-ND

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AOD609Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO254.2 Kbytes共7页AOD609的PDF下载地址AO4620,AO4622,AO4619,AOD608,AO4617,BSS8402DW_1,AON4604,CEM3172,CEM4808,CEM9935A
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AOD609N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1302.69 Kbytes共13页AOD609的PDF下载地址
AOD609_09Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO275.44 Kbytes共9页AOD609_09的PDF下载地址
AOD609GMOSFET N/P-CH TO252-4Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.的LOGO713.59 Kbytes共12页AOD609G的PDF下载地址
AOD609-MS场效应配置:N+P沟道N:VDSS耐压 40V, ID电流 15A, RDS(ON)导通电阻 30mR@VGS 10V(MAX), VGS(th)开启电压 1至2.5V,P:VDSS耐压 -40V, ID电流 -12A, RDS(ON)导通电阻 45mR@VGS -10V(MAX), VGS(th)开启电压 -1.5V至-2.5VMSKSEMI(美森科)MSKSEMI(美森科)的LOGO5.88 Mbytes共8页AOD609-MS的PDF下载地址
AOD609的全球分销商及价格
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AOD609ALPHA&OMEGAFET - 阵列 - 分立半导体产品2500+:¥2.15
5000+:¥2
12500+:¥1.93
25000+:¥1.85
62500+:¥1.8201
125000+:¥1.782500+:¥2.67011+:¥2.75
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ChipOneStop
AOD609ALPHA&OMEGAFET - 阵列 - 分立半导体产品2500+:¥2.15
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Digi-Key 得捷电子
AOD609Alpha & Omega Semiconductor Inc.2500+:¥2.15
5000+:¥2
12500+:¥1.93
25000+:¥1.85
62500+:¥1.8201
125000+:¥1.78
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Digi-Key 得捷电子
AOD609Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4$1.01000
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Digi-Key 得捷电子
AOD609GAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH TO252-4$1.01000
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Verical
AOD609ALPHA&OMEGAFET - 阵列 - 分立半导体产品2500+:¥2.15
5000+:¥2
12500+:¥1.93
25000+:¥1.85
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125000+:¥1.782500+:¥2.67011+:¥2.751+:¥1.98
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立创商城
AOD609AOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥2.51
10+:¥1.89
30+:¥1.77
100+:¥1.66
500+:¥1.61
1000+:¥1.58