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AO7800 /Alpha & Omega Semiconductor Inc/分立半导体产品
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:6,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 900mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):120pF @ 10V

功率 - 最大值:300mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:SC-70-6

其它名称:785-1094-2

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AO7800Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1593.87 Kbytes共7页AO7800的PDF下载地址
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AO7800ALPHA&OMEGAFET - 阵列 - 分立半导体产品6000+:¥0.711+:¥0.76
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AO7800Alpha & Omega Semiconductor Inc.6000+:¥0.71
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AO7800AOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):900mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 900mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双N沟道1+:¥0.9149
10+:¥0.6829
30+:¥0.6403
100+:¥0.5977
500+:¥0.5788
1000+:¥0.5694
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AO7800VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥0.7948
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500+:¥0.4877
1000+:¥0.4792