FET 类型：N 和 P 沟道互补型

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：900mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 900mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：120pF @ 10V

功率 - 最大值：300mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：SC-70-6（SOT-363）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs