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AO4441 /二极管与整流器
AO4441的规格信息
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系列:AO

FET类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):4A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1120pF @ 30V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):100 毫欧 @ 4A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC

封装形式Package:SOIC

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:60V

连续漏极电流ID:4A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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现代芯城(深圳)科技有限公司AO4441www.nowchip.com0755-27381274
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”13725596657“17503034873
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AO4441ALPHA&OMEGAFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥1.89
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Digi-Key 得捷电子
AO4441LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 60V 4A 8SOICObsolete
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Digi-Key 得捷电子
AO4441L_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 60V 4A 8SOICActive
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AO4441ALPHA&OMEGAFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥1.891+:¥1.13
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立创商城
AO4441VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:P沟道1+:¥1.8953
10+:¥1.4005
30+:¥1.3096
100+:¥1.2188
500+:¥1.1784
1000+:¥1.1584
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立创商城
AO4441AOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道1+:¥2.13
10+:¥1.61
30+:¥1.52
100+:¥1.42
500+:¥1.38
1000+:¥1.36