系列：AO

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：650mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：27pF @ 30V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.7 欧姆 @ 650mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：SOT-23

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：0.65A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs