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AO3485 /MOSFET P-CH SOT23
AO3485的规格信息
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包装标准卷带

系列*

零件状态最後搶購

FET 类型-

技术-

漏源电压(Vdss)-

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)-

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)-

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)-

Vgs(最大值)-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-

FET 功能-

功率耗散(最大值)-

工作温度-

安装类型-

供应商器件封装-

封装/外壳-

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深圳市坤融电子有限公司AO3485航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司AO3485深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司AO3485C深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
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深圳市百视威讯电子科技有限公司AO3485华强广场C座18J0755-27381274
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董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司AO3485华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市辰芯伟业科技有限公司AO3485华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市斌腾达科技有限公司AO3485深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司AO3485深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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万三科技(深圳)有限公司AO3485C深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市芯泽盛世科技有限公司AO3485龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司AO3485深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司AO3485深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市凌特半导体科技有限公司AO3485C广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳德泰威尔科技有限公司AO3485C上步工业区405栋30815766460736
15766460736
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深圳市华芯盛世科技有限公司AO3485C深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
AO3485连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道AOSAOS的LOGO818.10 Kbytes共9页AO3485的PDF下载地址
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AO3485Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3Obsolete
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AO3485AOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道10+:¥0.368471
100+:¥0.283015
300+:¥0.26732
1000+:¥0.251624
5000+:¥0.244648
10000+:¥0.241201