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AO3414A /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道
AO3414A的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.2A

栅源极阈值电压1.2V @ 50uA

漏源导通电阻35mΩ @ 3.6A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)400mW

类型N沟道

供应商AO3414A
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AO3414A连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道UMW(友台半导体)UMW(友台半导体)的LOGO1.73 Mbytes共3页AO3414A的PDF下载地址
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AO3414AUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道10+:¥0.247651
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