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AO3400A /二极管与整流器
AO3400A的规格信息
AO3400A的图片

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系列:AO

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.7A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):7nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):630pF @ 15V

Vgs(最大值):±12V

功率耗散(最大值):1.4W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):26.5 毫欧 @ 5.7A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装形式Package:SOT-23

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:30V

连续漏极电流ID:5.7A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商AO3400A
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李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
深圳市芯幂科技有限公司AO3400A深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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现代芯城(深圳)科技有限公司AO3400Awww.nowchip.com0755-27381274
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19854773352
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深圳市博浩通科技有限公司AO3400A华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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深圳市水星电子有限公司AO3400A地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳和润天下电子科技有限公司AO3400A深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司AO3400A深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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AO3400AN-Channel enhancement mode field effect transistor KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO1901.37 Kbytes共4页AO3400A的PDF下载地址
AO3400AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ALPHA[Alpha Industries]ALPHA[Alpha Industries]的LOGO279.75 Kbytes共4页AO3400A的PDF下载地址CEM2082,CEM4282,CEM8208,CEP09N7A,CEP65A3,CEP3120,CED13N07,CED1012,MMBF170_1,DMN2004DMK
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AO3400AALPHA&OMEGAFET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥0.59
6000+:¥0.56
15000+:¥0.51
30000+:¥0.4801
75000+:¥0.43
150000+:¥0.413000+:¥0.49
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AO3400AAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L$0.48000
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AO3400A_101Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V SOT23Obsolete
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AO3400AAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:26.5mΩ @ 5.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道5+:¥0.817731
50+:¥0.751785
150+:¥0.73332
500+:¥0.717493
2500+:¥0.701666
5000+:¥0.699028
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AO3400ABORN伯恩半导体连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道10+:¥0.285822
100+:¥0.21585
300+:¥0.202998
1000+:¥0.190146
5000+:¥0.184434
10000+:¥0.181612
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AO3400AUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道10+:¥0.259982
100+:¥0.194924
300+:¥0.182974
1000+:¥0.171025
5000+:¥0.165714
10000+:¥0.16309
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AO3400AHUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道20+:¥0.189459
200+:¥0.139479
600+:¥0.130299
2000+:¥0.121119
10000+:¥0.117039
20000+:¥0.115023