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AO3400 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
AO3400的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.8A

栅源极阈值电压1.4V @ 250uA

漏源导通电阻35mΩ @ 5.8A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)350mW

类型N沟道

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AO340030V N-Channel Enhancement Mode MOSFET HTSEMI[Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.]HTSEMI[Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.]的LOGO1854.32 Kbytes共3页AO3400的PDF下载地址
AO340030V N-Channel MOSFET AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO477.74 Kbytes共5页AO3400的PDF下载地址
AO3400VDS (V) = 30V ID= 5.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 28m (VGS = 10V) RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V) TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO220.3 Kbytes共2页AO3400的PDF下载地址
AO3400N-Channel enhancement mode field effect transistor KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO1120.86 Kbytes共4页AO3400的PDF下载地址
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AO3400N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1026.95 Kbytes共9页AO3400的PDF下载地址
AO3400_101MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.的LOGO472.18 Kbytes共5页AO3400_101的PDF下载地址
AO3400_1130V N-Channel MOSFET AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO477.74 Kbytes共5页AO3400_11的PDF下载地址
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AO3400A30V N-Channel MOSFET AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO476.66 Kbytes共5页AO3400A的PDF下载地址
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AO3400CAOSAOS的LOGO342.72 Kbytes共5页AO3400C的PDF下载地址
AO3400HN沟道, VDSS耐压 30V, ID电流 5.7A, RDON导通电阻 28mR@VGS 10V(MAX), VGS(th)开启电压 0.7-1.4V,HXY MOSFET(华轩阳电子)HXY MOSFET(华轩阳电子)的LOGO1.50 Mbytes共6页AO3400H的PDF下载地址
AO3400-HFN-Channel MOSFET KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO1302.41 Kbytes共4页AO3400-HF的PDF下载地址
AO3400-HF-3N-Channel MOSFET KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO1325.48 Kbytes共4页AO3400-HF-3的PDF下载地址
AO3400LN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO110.54 Kbytes共4页AO3400L的PDF下载地址FDP7030L,NDP4060,NDP6051,NDP710A,NDS8410S,NDS9957,CEFF640,CEM8410,CEP6030L,CEP7060L
AO3400-SOT23连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道PUOLOP(迪浦)PUOLOP(迪浦)的LOGO1.83 Mbytes共3页AO3400-SOT23的PDF下载地址
AO3400-SOT23-3LN-Channel Enhancement MOSFET YFWDIODE[DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD]YFWDIODE[DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD]的LOGO3458.57 Kbytes共5页AO3400-SOT23-3L的PDF下载地址
AO3400的全球分销商及价格
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AO3400AALPHA&OMEGAFET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥0.59
6000+:¥0.56
15000+:¥0.51
30000+:¥0.4801
75000+:¥0.43
150000+:¥0.413000+:¥0.49
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AO3400Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3Last Time Buy
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AO3400AAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L$0.48000
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6000+:¥0.56
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AO3400A_101Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V SOT23Obsolete
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AO3400TWGMC(台湾迪嘉)MOS(场效应管)10+:¥0.228144
100+:¥0.168168
300+:¥0.157152
1000+:¥0.146136
5000+:¥0.14124
10000+:¥0.138821
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AO3400MDDMOS(场效应管)10+:¥0.278436
100+:¥0.213463
300+:¥0.201529
1000+:¥0.189595
5000+:¥0.184291
10000+:¥0.18167
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AO3400BLUE ROCKET(蓝箭)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道20+:¥0.18496
200+:¥0.13498
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10000+:¥0.11254
20000+:¥0.110524
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AO3400VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:N沟道10+:¥0.229709
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AO3400Hottech(合科泰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道10+:¥0.246672
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AO3400LGE(鲁光)MOS(场效应管)10+:¥0.284189
100+:¥0.209219
300+:¥0.195449
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5000+:¥0.175559
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AO3400KEXIN(科信)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道10+:¥0.277542
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AO3400AAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:26.5mΩ @ 5.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道5+:¥0.817731
50+:¥0.751785
150+:¥0.73332
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2500+:¥0.701666
5000+:¥0.699028
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AO3400ABORN伯恩半导体连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道10+:¥0.285822
100+:¥0.21585
300+:¥0.202998
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5000+:¥0.184434
10000+:¥0.181612
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AO3400AUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道10+:¥0.259982
100+:¥0.194924
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5000+:¥0.165714
10000+:¥0.16309
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AO3400AHUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道20+:¥0.189459
200+:¥0.139479
600+:¥0.130299
2000+:¥0.121119
10000+:¥0.117039
20000+:¥0.115023
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AO3400CAOSMOS(场效应管)1+:¥6.54
200+:¥2.53
500+:¥2.44
1000+:¥2.4
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AO3400-SOT23PUOLOP(迪浦)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道10+:¥0.275
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5000+:¥0.195338
10000+:¥0.193121
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AO3400-SOT23-3LPUOLOP(迪浦)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道10+:¥0.278674
100+:¥0.208669
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10000+:¥0.174415