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AO2301 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道
AO2301的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.5A

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻35mΩ @ 5.1A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W

类型P沟道

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AO2301VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道10+:¥0.344595
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