标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：EPAD®

包装：管件

FET 类型：2 N 沟道（双）配对

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压（Vdss）：10.6V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12mA，3mA

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：500 欧姆 @ 3.6V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：380mV @ 1µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2.5pF @ 5V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

其它名称：1014-1062