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ALD114835PCL /Advanced Linear Devices Inc/分立半导体产品
ALD114835PCL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:25

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:EPAD®

包装:管件

FET 类型:4 N 沟道,配对

FET 功能:耗尽模式

漏源极电压(Vdss):10.6V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12mA,3mA

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):540 欧姆 @ 0V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.45V @ 1µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2.5pF @ 5V

功率 - 最大值:500mW

安装类型:通孔

封装/外壳:16-DIP(0.300",7.62mm)

供应商器件封装:16-PDIP

其它名称:1014-1059

供应商ALD114835PCL
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ALD114835PCLQUAD/DUAL N-CHANNEL DEPLETION MODE EPAD PRECISION MATCHED PAIR MOSFET ARRAY ALD[Advanced Linear Devices]ALD[Advanced Linear Devices]的LOGO108.27 Kbytes共11页ALD114835PCL的PDF下载地址
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ALD114835PCLAdvanced Linear Devices Inc.1+:¥24.1
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100+:¥17.66
250+:¥15.95
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ALD114835PCLAdvanced Linear Devices Inc.MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP$5.75020
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ALD114835PCLADVANCED LINEAR DEVICES INC.MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP500 : $1.9588
250 : $2.183
100 : $2.419
25 : $2.6552
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ALD114835PCLAdvanced Linear DevicesFET - 阵列 EPAD® 分立半导体产品1+:¥24.1
25+:¥19.3899
100+:¥17.66
250+:¥15.95
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1000+:¥12.07
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25+:¥13.67
100+:¥13.25
250+:¥12.67
500+:¥12.67
1000+:¥12.1
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5000+:¥11.14