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ALD111933MAL /Advanced Linear Devices Inc/分立半导体产品
ALD111933MAL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:EPAD®

包装:管件

FET 类型:2 N 沟道(双)配对

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):10.6V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):500 欧姆 @ 5.9V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.35V @ 1µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2.5pF @ 5V

功率 - 最大值:500mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

供应商器件封装:8-MSOP

其它名称:1014-1050

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ALD111933MALAdvanced Linear DevicesFET - 阵列 EPAD® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Channel50+:¥14.421+:¥12.0101
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