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ALD110900ASAL /Advanced Linear Devices Inc/分立半导体产品
ALD110900ASAL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:EPAD®,Zero Threshold?

包装:管件

FET 类型:2 N 沟道(双)配对

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):10.6V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):500 欧姆 @ 4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):10mV @ 1µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2.5pF @ 5V

功率 - 最大值:500mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC

其它名称:1014-1031

供应商ALD110900ASAL
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ALD110900ASALQUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD™ EPAD® PRECISION MATCHED PAIR MOSFET ARRAY ALD[Advanced Linear Devices]ALD[Advanced Linear Devices]的LOGO109.68 Kbytes共11页ALD110900ASAL的PDF下载地址
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ALD110900ASALAdvanced Linear Devices Inc.1+:¥23.08
10+:¥20.63
25+:¥18.57
100+:¥16.92
250+:¥15.27
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ALD110900ASALADVANCED LINEAR DEVICES INC.MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC250 : $2.09052
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25 : $2.5424
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ALD110900ASALAdvanced Linear DevicesFET - 阵列 EPAD®, Zero Threshold? 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch1+:¥23.08
10+:¥20.63
25+:¥18.57
100+:¥16.92
250+:¥15.27
500+:¥13.7
1000+:¥11.55
2500+:¥10.981+:¥16.4
10+:¥15.32
50+:¥13.09
100+:¥12.75
250+:¥12.1801
500+:¥12.1801
1000+:¥11.1801
2500+:¥11.07
5000+:¥10.6901