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ALD110808APCL /Advanced Linear Devices Inc/分立半导体产品
ALD110808APCL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:25

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:EPAD®

包装:管件

FET 类型:4 N 沟道,配对

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):10.6V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12mA,3mA

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):500 欧姆 @ 4.8V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):810mV @ 1µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2.5pF @ 5V

功率 - 最大值:500mW

安装类型:通孔

封装/外壳:16-DIP(0.300",7.62mm)

供应商器件封装:16-PDIP

其它名称:1014-1024

供应商ALD110808APCL
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ALD110808APCLAdvanced Linear DevicesFET - 阵列 EPAD® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch1+:¥26.8
25+:¥21.52
100+:¥19.61
250+:¥17.7
500+:¥15.8799
1000+:¥13.4
2500+:¥12.73
5000+:¥12.251+:¥19.0501
10+:¥17.72
25+:¥15.16
100+:¥14.74
250+:¥14.08
500+:¥14.08
1000+:¥12.93
2500+:¥12.8
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