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ALD1101BPAL /Advanced Linear Devices Inc/分立半导体产品
ALD1101BPAL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:管件

FET 类型:2 N 沟道(双)配对

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):10.6V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 欧姆 @ 5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 10µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:500mW

安装类型:通孔

封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm)

供应商器件封装:8-PDIP

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ALD1101BPALAdvanced Linear Devices Inc.50+:¥25.47
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ALD1101BPALADVANCED LINEAR DEVICES INC.MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP50 : $3.4876
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ALD1101BPALAdvanced Linear DevicesFET - 阵列 - 分立半导体产品50+:¥25.471+:¥22.53
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50+:¥17.97
100+:¥17.3899
250+:¥16.7299
500+:¥16.7299
1000+:¥15.36
2500+:¥15.21
5000+:¥14.68