4N70KL-MT-TN3-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.4A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.2Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):49W 类型:N沟道
4N70KL-MT-TN3-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.4A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻3.2Ω @ 2.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)49W
类型N沟道
4N70KL-MT-TN3-R
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4N70KL-MT-TN3-R | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.4A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.2Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):49W 类型:N沟道 | UTC(友顺) |  | 329.22 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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 立创商城 | 4N70KL-MT-TN3-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.4A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.2Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):49W 类型:N沟道 | 1+:¥1.601 10+:¥1.2012 30+:¥1.1277 100+:¥1.0543
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