4N70KL-MT-TN3-R
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.4A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.2Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：49W 类型：N沟道
4N70KL-MT-TN3-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）700V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.4A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻3.2Ω @ 2.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）49W
类型N沟道
4N70KL-MT-TN3-R
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| 4N70KL-MT-TN3-R | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.4A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.2Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：49W 类型：N沟道 | UTC(友顺) |  | 329.22 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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立创商城 | 4N70KL-MT-TN3-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.4A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.2Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：49W 类型：N沟道 | 1+:￥1.601
10+:￥1.2012
30+:￥1.1277
100+:￥1.0543
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