4N65KL-TA3-T
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):106W(Tc) 类型:N沟道
4N65KL-TA3-T的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻2.8Ω @ 2.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)106W(Tc)
类型N沟道
4N65KL-TA3-T
4N65KL-TA3-T的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | 4N65KL-TA3-T | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):106W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.9612 10+:¥1.4714 30+:¥1.3815 100+:¥1.2915
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