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4N60L-B-TN3-R /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻2.5Ω @ 2.2A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)50W

类型N沟道

供应商4N60L-B-TN3-R
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4N60L-B-TN3-R连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道UTC(友顺)UTC(友顺)的LOGO441.65 Kbytes共9页4N60L-B-TN3-R的PDF下载地址
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4N60L-B-TN3-RUTC(友顺)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道1+:¥1.5707
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